트랜지스터, 또한 바이 폴라 접합 트랜지스터, 두-다이오드 PN 접합의 상응 이라고. 순방향 바이어스 EB 매듭 구멍 있는 수집기 및 CB 전기 분야의 작업에서 역방향 바이어스 접합 장벽에 도달 구멍의 경계의 대부분 수집기 지역 도달 미터 지역에서 주입 컬렉터 전류 IC를 형성 합니다. 공통이 미터 트랜지스터 회로, 기본 회로에서 발사 바이어스 전압을 경주는 드롭 매우 작습니다.
거기에 500 ω 컬렉터 부하 저항 VRC에서 전압 강하는 10mA = * 500 ω = 5V, 트랜지스터 전압 강하 수집기와 VCE에 대 한 미터 사이 = 5V, 작은 전류 IB에 대 한 바이어스 회로에서 스태킹 대체 자료 해당 교류 전류 IC, 컬렉터 회로에 나타나는 경우 c/IB 베타, 바이 폴라 트랜지스터 #39; = s 현재 확대 실현.
대부분 수집기의 바이어스 전압을이 미터 사이 고 역 편견된 수집기에 추가 됩니다. VBE는 베이스 전류 IB 약 이므로 매우 작기 때문에 5V/50 k ω = 0.1mA =. 경우 트랜지스터 #39; s이 미터 전류 증폭 계수 β = IC/IB = 100, 수집가 현재 IC = 베타 * IB 10mA =.