바이 폴라 접합 트랜지스터의 2 연속 다이오드 PN 분기점. 순방향 바이어스 EB 매듭 구멍 미터 지역 수집가 지역에 전기 분야의 영향 아래 역방향 바이어스 접합 장벽에 CB에서에서 주입 컬렉터 전류 IC를 형성 합니다. 대부분 수집기의 바이어스 전압을이 미터 사이 고 역 편견된 수집기에 추가 됩니다.
경우 트랜지스터 #39; s이 미터 전류 증폭 계수 β = IC/IB = 100, 수집가 현재 IC = 베타 * IB 10mA =. 나타나면 작은 현재 IB에 대 한 바이어스 회로에서 스태킹 대체 자료 수집기 회로에 해당 교류 전류 IC, c/IB 베타, 바이 폴라 트랜지스터 #39; = s 현재 확대 실현 됩니다.